IXGK28N140B3H1

IXGK28N140B3H1

IXGK28N140B3H1
Производитель: IXYS
Номер части: IXGK28N140B3H1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IXGK28N140B3H1 Лист данных скачать
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 28 Amps 1400V
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности 300 W
Вес изделия 10 g
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Коммерческое обозначение GenX3
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.4 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 150 A
Производитель IXYS
Размер фабричной упаковки 25
Серия IXGK28N140
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-264-3
Метки:
Страница создана за 0.153 секунд.