DMN3009SFG-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN3009SFG-13
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 3000

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	16 A
Pd - рассеивание мощности	900 mW
Qg - заряд затвора	42 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4.1 ns
Время спада	14.6 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN3009
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	31 ns
Типичное время задержки при включении	3.9 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	PowerDI3333-8

Метки: