APT100GN120J

Производитель: Microsemi
Номер части: APT100GN120J
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 15

Описание Характеристики

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	446 W
Вид монтажа	Screw
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Коммерческое обозначение	ISOTOP
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 30 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	153 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	Microsemi
Ток утечки затвор-эмиттер	600 nA
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	SOT-227-4

Метки: