BSZ018NE2LSATMA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSZ018NE2LSATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): 7

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BSZ018NE2LS Лист данных	скачать

МОП-транзистор N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	40 A
Pd - рассеивание мощности	69 W
Qg - заряд затвора	29 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	25 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.2 V to 2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4.4 ns
Время спада	3.4 ns
Другие названия товара №	BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSXT SP000756338
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Single Quad Drain
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	140 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	5000
Серия	OptiMOS
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	26 ns
Типичное время задержки при включении	5.5 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TDSON-8

Метки: