BSS123LT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: BSS123LT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BSS123LT1G Лист данных	скачать

МОП-транзистор 100V 170mA N-Channel

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	170 mA
Pd - рассеивание мощности	225 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	0.08 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BSS123L
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	40 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: