PMCPB5530X,115

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PMCPB5530X,115
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
PMCPB5530X,115 Лист данных	скачать

МОП-транзистор PMCPB5530X/HUSON6/REEL 7" Q1/T

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	5.3 A
Pd - рассеивание мощности	8.33 W
Qg - заряд затвора	14.4 nC, 8.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	70 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	0.65 V, - 0.65 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	15 ns
Время спада	16 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	1 N-Channel, 1 P-Channel
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	40 ns
Типичное время задержки при включении	4 ns
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DFN-2020-6

Метки: