Ничего не куплено!
IXGH15N120B2D1
Производитель: IXYS
Номер части: IXGH15N120B2D1
Нормоупаковка: 30 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXGH15N120B2D1
Нормоупаковка: 30 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 2.7 V Rds
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вес изделия | 6.500 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 30 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 30 A |
| Производитель | IXYS |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXGH15N120 |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
Страница создана за 0.686 секунд.