Ничего не куплено!
IXGR35N120BD1
Производитель: IXYS
Номер части: IXGR35N120BD1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXGR35N120BD1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| IXGR35N120BD1 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 23 Amps 1200V 3.7 Rds
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 54 A |
| Производитель | IXYS |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXGR35N120 |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | ISOPLUS 247-3 |
Страница создана за 0.363 секунд.