Ничего не куплено!
Описание | действие |
MRF6S19100HR3 Лист данных | скачать |
РЧ МОП-транзисторы | |
Pd - рассеивание мощности | 398 W |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 68 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | - 0.5 V, + 12 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вес изделия | 6.425 g |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Выходная мощность | 22 W |
Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | NXP |
Рабочая частота | 1.93 GHz to 1.99 GHz |
Размер фабричной упаковки | 250 |
Серия | MRF6S19100H |
Технология | Si |
Тип | RF Power MOSFET |
Торговая марка | NXP / Freescale |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | NI-780-3 |
Усиление | 16.1 dB |