STGB20NB37LZT4

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGB20NB37LZT4
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
STGB20NB37LZT4 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	200 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	12 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	40 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	40 A
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STGB20NB37LZ
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 660 uA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	D2PAK-3

Метки: