Ничего не куплено!
IXXN110N65C4H1
Производитель: IXYS
Номер части: IXXN110N65C4H1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXXN110N65C4H1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| IXXN110N65C4H1 Лист данных | скачать |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 750 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Конфигурация | Single Dual Emitter |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.98 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 210 A |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Производитель | IXYS |
| Серия | IXXN110N65 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227B-4 |
Страница создана за 0.144 секунд.