Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| 2N6387 Лист данных | скачать |
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | BK |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 100 |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 20 MHz |
| Производитель | Central Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 400 |
| Серия | 2N6387 |
| Торговая марка | Central Semiconductor |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-220 |