C2M0025120D

Производитель: Cree, Inc.
Номер части: C2M0025120D
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор SIC МОП-транзистор 1200V RDS ON 25 mOhm

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	90 A
Pd - рассеивание мощности	463 W
Qg - заряд затвора	406 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	- 10 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	31.6 ns
Время спада	28.4 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	23.6 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Cree, Inc.
Технология	SiC
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	28.8 ns
Типичное время задержки при включении	14.4 ns
Торговая марка	Cree, Inc.
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3

Метки: