CGHV1F025S

CGHV1F025S

CGHV1F025S
Производитель: Wolfspeed / Cree
Номер части: CGHV1F025S
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
CGHV1F025S Лист данных скачать
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 0 TO 18 GHZ SMT HEMT AMPLIFIER
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Id - непрерывный ток утечки 2 A
NF - коэффициент шумов -
P1dB - точка сжатия -
Pd - рассеивание мощности -
Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to + 2 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток - 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Выходная мощность 25 W
Диапазон рабочих температур - 40 C to + 150 C
Категория продукта РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Класс -
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. -
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение сток-затвор -
Минимальная рабочая температура - 40 C
Напряжение отсечки затвор-исток -
Полярность транзистора N-Channel
Применение -
Производитель Cree, Inc.
Рабочая частота 15 GHz
Средства разработки CGHV1F025S-TB
Технология GaN SiC
Тип транзистора HEMT
Торговая марка Wolfspeed / Cree
Упаковка Reel
Упаковка / блок DFN-12
Усиление 11 dB
Метки:
Страница создана за 0.125 секунд.