Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| PMPB20UN,115 Лист данных | скачать |
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 12.5 W |
| Qg - заряд затвора | 4.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 19 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 0.7 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 19 ns |
| Время спада | 26 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | DFN-2020MD-6 |