BSM50GD120DN2E3226

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSM50GD120DN2E3226
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

NRND: Не рекомендуется для новых разработок.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	350 W
Вид монтажа	Screw
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Hex
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	50 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	10
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	EconoPACK 2

Метки: