CSD25211W1015

Производитель: Texas Instruments
Номер части: CSD25211W1015
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор PCh NexFET Power МОП-транзистор

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 3.2 A
Pd - рассеивание мощности	1 W
Qg - заряд затвора	3.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	33 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	- 6 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 800 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	8.8 ns
Время спада	14.2 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	NexFET
Конфигурация	Single Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	12 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Texas Instruments
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	CSD25211W1015
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	36.9 ns
Типичное время задержки при включении	13.6 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DSBGA-6

Метки: