ZTX1147A

ZTX1147A

ZTX1147A
Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: ZTX1147A
Нормоупаковка: 4000 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 15 недель
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 4000
Описание действие
ZTX1147A Лист данных скачать
Биполярные транзисторы - BJT PNP High Gain & Crnt
Биполярные транзисторы - BJT
Высота 4.01 mm
Длина 4.77 mm
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 270 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 200 at 2 A, 2 V, 170 at 4 A, 2 V, 90 at 10 A, 2 V
Непрерывный коллекторный ток - 4 A
Подкатегория Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 115 MHz
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Ширина 2.41 mm
Pd - рассеивание мощности 1 W
Вес изделия 453.600 mg
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 270 at 10 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Минимальная рабочая температура - 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 15 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 12 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 175 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
Полярность транзистора PNP
Производитель Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки 4000
Серия ZTX1147
Технология Si
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-92-3
CAHTS 8541210000
CNHTS 8541210000
ECCN EAR99
JPHTS 8541210101
KRHTS 8541219000
MXHTS 85412101
TARIC 8541210000
USHTS 8541210095
Метки:
Страница создана за 0.433 секунд.