STGB10NB37LZ

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGB10NB37LZ
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
STGB10NB37LZ Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	125 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	16 V
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1.8 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	20 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	20 A
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	300-400V IGBTs
Ток утечки затвор-эмиттер	700 uA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	D2PAK-3

Метки: