SI7137DP-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI7137DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор -20V 1.95mOhm@10V 60A P-Ch G-III

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	42 A
Pd - рассеивание мощности	104 W
Qg - заряд затвора	183 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.95 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	150 ns
Время спада	110 ns
Другие названия товара №	SI7137DP-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single Quad Drain Triple Source
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	95 s
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI71xxDx
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	230 ns
Типичное время задержки при включении	100 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SO-8

Метки: