Ничего не куплено!
FGD3N60LSDTM
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGD3N60LSDTM
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: FGD3N60LSDTM
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
| Описание | действие |
| FGD3N60LSDTM Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT HID Application
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вес изделия | 260.370 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 6 A |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | FGD3N60 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
Страница создана за 0.156 секунд.