Ничего не куплено!
IRGP4266PBF
Производитель: International Rectifier
Номер части: IRGP4266PBF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IRGP4266PBF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V Low VCEon Trench IGBT
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 450 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 140 A |
| Производитель | International Rectifier |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | International Rectifier |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
Страница создана за 0.145 секунд.