Ничего не куплено!
TPN4R712MD,L1Q
Производитель: Toshiba
Номер части: TPN4R712MD,L1Q
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: TPN4R712MD,L1Q
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | - 36 A |
| Pd - рассеивание мощности | 42 W |
| Qg - заряд затвора | 65 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 11 ns |
| Время спада | 145 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Производитель | Toshiba |
| Технология | Si |
| Типичное время задержки выключения | 443 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TSON-Advance-8 |
Страница создана за 0.175 секунд.