Ничего не куплено!
SIA425EDJ-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIA425EDJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: SIA425EDJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | - 4.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 15.6 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | SIA425EDJ-GE3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SC-70-6 |
Страница создана за 0.136 секунд.