Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| PD85035-E Лист данных | скачать |
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 95 W |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | - 500 mV, + 15 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 35 W |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 165 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Рабочая частота | 870 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 400 |
| Серия | PD85035-E |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | PowerSO-12 |
| Усиление | 14.9 dB |