IHW30N135R3FKSA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IHW30N135R3FKSA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IHW30N135R3FKSA1 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	175 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IHW30N135R3 IHW30N135R3XK SP000989496
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1.35 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.85 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	60 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	30 A
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	240
Серия	IHW30N135
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3

Метки: