BSS670S2L H6327

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSS670S2L H6327
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	540 mA
Pd - рассеивание мощности	360 mW
Qg - заряд затвора	1.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	650 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	55 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.6 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	25 ns
Время спада	24 ns
Другие названия товара №	BSS670S2LH6327XT BSS670S2LH6327XTSA1 SP000928950
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	1.2 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Серия	BSS670S2
Технология	-
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	21 ns
Типичное время задержки при включении	9 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: