Ничего не куплено!
IHW20N135R3FKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IHW20N135R3FKSA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IHW20N135R3FKSA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 155 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IHW20N135R3 IHW20N135R3XK SP000909532 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.35 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 20 A |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | IHW20N135 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
Страница создана за 0.219 секунд.