DMN10H170SFG-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN10H170SFG-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	2.9 A
Pd - рассеивание мощности	2 W
Qg - заряд затвора	14.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	122 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	2.3 ns
Время спада	3.4 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	4.4 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN10
Технология	-
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	13.9 ns
Типичное время задержки при включении	4.4 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	POWERDI3333

Метки: