STGW30NC60VD

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGW30NC60VD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
STGW30NC60VD Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	250 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.5 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	80 A
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	600
Серия	600-650V IGBTs
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 100 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3

Метки: