Ничего не куплено!
STGW60H65F
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGW60H65F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: STGW60H65F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60A 650V FST IGBT Very High Switching
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 360 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.9 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 120 A |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Серия | 600-650V IGBTs |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247 |
Страница создана за 2.863 секунд.