Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 166 W |
| Вес изделия | 1.800 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 10 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 26.9 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 25 A |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |