IXGN200N60B3

Производитель: IXYS
Номер части: IXGN200N60B3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	830 W
Вес изделия	38 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Коммерческое обозначение	GenX3
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.35 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	300 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	1.2 kA
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	10
Серия	IXGN200N60
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	SOT-227B-4

Метки: