Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 1770 mW |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 400 at 0.3 A at 2 V |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | Toshiba |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | PS |