DMN3032LE-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN3032LE-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
DMN3032LE-13 Лист данных	скачать

МОП-транзистор FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	5.6 A
Pd - рассеивание мощности	1.8 W
Qg - заряд затвора	11.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	29 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	3.9 ns
Время спада	1.9 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	7 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN3032
Технология	-
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	10 ns
Типичное время задержки при включении	2.3 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT223

Метки: