DMG6601LVT-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMG6601LVT-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	3.8 A, 2.5 A
Pd - рассеивание мощности	850 mW
Qg - заряд затвора	5.4 nC, 6.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	85 mOhms, 190 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V, 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4.6 ns, 7.4 ns
Время спада	15.6 ns, 2.2 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	N-Channel, P-Channel
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMG6601
Тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	31.2 ns, 18.3 ns
Типичное время задержки при включении	1.6 ns, 1.7 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TSOT-23-6

Метки: