DMT6007LFG-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMT6007LFG-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание	действие
DMT6007LFG-7 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	80 A
Pd - рассеивание мощности	2.2 W
Qg - заряд затвора	41.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	800 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4.3 ns
Время спада	9.7 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	100 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2000
Серия	DMT6007
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	23.4 ns
Типичное время задержки при включении	5.7 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerDI3333-8
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000

Метки: