Ничего не куплено!


| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Pd - рассеивание мощности | 306 W |
| Qg - заряд затвора | 130 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 54 V, 60 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V to 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 26 ns |
| Время спада | 22 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 77 ns |
| Типичное время задержки при включении | 31 ns |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |