STW58N65DM2AG

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STW58N65DM2AG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор Automotive-grade N-channel 650 V, 0.051 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power МОП-транзистор in a TO-247 package

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	48 A
Pd - рассеивание мощности	360 W
Qg - заряд затвора	88 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	65 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	31 ns
Время спада	7.7 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	STMicroelectronics
Технология	-
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	157 ns
Типичное время задержки при включении	28 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-247-3

Метки: