Ничего не куплено!
GS61004B-E01-TY
Производитель: GaN Systems
Номер части: GS61004B-E01-TY
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: GS61004B-E01-TY
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
| Описание | действие |
| GS61004B-E01-TY Лист данных | скачать |
МОП-транзистор 100V Enhancement Mode Transistor
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 45 A |
| Qg - заряд затвора | 6.6 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 15 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | GaN Systems |
| Технология | GaN |
| Торговая марка | GaN Systems |
| Упаковка | Tray |
Страница создана за 0.953 секунд.