VS-GB75YF120N

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: VS-GB75YF120N
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Время выполнения производителем: 16 недель
Срок эксплуатации:

Окончание срока эксплуатации: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
VS-GB75YF120N Лист данных	скачать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 75 Amp

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Высота	13.2 mm
Длина	107.8 mm
Подкатегория	IGBTs
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Modules
Ширина	45.4 mm
Вес изделия	170 g
Вид монтажа	Chassis Mount
Другие названия товара №	GB75YF120N
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Quad
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	100 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	12
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	ECONO2 4PAK
CAHTS	8541290000
CNHTS	8541290000
ECCN	EAR99
JPHTS	8541290100
KRHTS	8541299000
MXHTS	85412999
TARIC	8541100000
USHTS	8541290095

Метки: