Ничего не куплено!
BSZ120P03NS3E G
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSZ120P03NS3E G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BSZ120P03NS3E G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | - 40 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 30 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | BSZ120P03NS3EGATMA1 BSZ120P03NS3EGXT SP000709730 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Серия | OptiMOS P3 |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TSDSON-8 |
Страница создана за 0.19 секунд.