2DB1713-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: 2DB1713-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT LO VSAT PNP SMT 2.5K

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	2000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	270 at 500 mA, 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	270
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 6 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 15 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 12 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 6 V
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	180 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	2DB17
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-89

Метки: