Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| FGA15S125P Лист данных | скачать |
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 136 W |
| Вес изделия | 6.401 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 25 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1250 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.72 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 30 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 15 A |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Серия | FGA15S125P |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 500 nA |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3PN-3 |