Ничего не куплено!
BLS6G3135-120,112
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BLS6G3135-120,112
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BLS6G3135-120,112
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| BLS6G3135-120,112 Лист данных | скачать |
РЧ МОП-транзисторы LDMOS TNS
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 160 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 13 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 120 W |
| Другие названия товара № | BLS6G3135-120 |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Рабочая частота | 3.1 GHz to 3.5 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 20 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-502A |
| Усиление | 11 dB |
Страница создана за 0.139 секунд.