IKW20N60H3

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IKW20N60H3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IKW20N60H3 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A 170W

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	170 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3XK SP000702556
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.95 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	20 A
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	240
Серия	IKW20N60
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247

Метки: