IMZ2AT108

IMZ2AT108

IMZ2AT108
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: IMZ2AT108
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Биполярные транзисторы - BJT NPN/PNP 50V 150MA
Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe 120
Конфигурация Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 560
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.15 A
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 60 V, + 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 50 V, + 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 6 V, + 7 V
Полярность транзистора NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 140 MHz, 180 MHz
Производитель ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки 3000
Серия IMZ2A
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Reel
Упаковка / блок SC-74
Метки:
Страница создана за 0.147 секунд.