APT95GR65B2

Производитель: Microsemi
Номер части: APT95GR65B2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
APT95GR65B2 Лист данных	скачать

МОП-транзистор

МОП-транзистор
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	208 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	208 A
Подкатегория	IGBTs
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 250 nA
Pd - рассеивание мощности	892 W
Вес изделия	6 g
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Производитель	Microchip
Размер фабричной упаковки	1
Технология	Si
Торговая марка	Microchip / Microsemi
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
CAHTS	8541290000
CNHTS	8541290000
ECCN	EAR99
JPHTS	8541290100
KRHTS	8541299000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000
USHTS	8541290095

Метки: