MG12200D-BN2MM

Производитель: Littelfuse
Номер части: MG12200D-BN2MM
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
MG12200D-BN2MM Лист данных	скачать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A Dual

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	1400 W
Вес изделия	285 g
Вид монтажа	Screw
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	300 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	Littelfuse
Серия	MG12200D
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Littelfuse
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	Package D

Метки: