Ничего не куплено!
CXDM6053N TR
Производитель: Central Semiconductor
Номер части: CXDM6053N TR
Нормоупаковка: 1000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: CXDM6053N TR
Нормоупаковка: 1000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор SMD Small Sig Mosfet NCh Enh Mode Hi Crnt
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
| Qg - заряд затвора | 8.8 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 52 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Central Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | CXDM60 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Central Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Страница создана за 0.159 секунд.